Los BC337 (NPN) y BC327 (PNP) son transistores bipolares para usos generales de mediana potencia, muy similares a los BC548 (NPN) y BC558 (PNP) pero con una capacidad de corriente de colector mucho mayor, hasta 800 mA, característica que les permite de ser usados en muchas aplicaciones de control de media potencia como por ejemplo drivers para pequeños motores, relés y también tiras de leds cortas.
La figura nos muestra un clásico circuito de control de un relé que emplea un BC337. El valor de R depende de la lógica de control y de la potencia del relé pero generalmente se puede usar un valor de 3,3K.
Los transistores BC337 y BC327 tienen el mismo encapsulado de los BC548 y la misma distribución de los pines (e,b,c), son muy económicos y gracias a la capacidad de corriente antes mencionada, son realmente versátiles.
Por estos motivos son usados en muchos de los proyectos cuando se necesitan corrientes de salida que pueden superar los 100 mA. La tensión máxima colector-emisor (VCE) es de 45V.
De los dos transistores descriptos, el BC337 es el más usado porque siendo NPN se adapta mejor como driver. El BC327 posee las mismas características del BC337 pero es de tipo PNP.
Ambos transistores pueden ser usados en etapas de salida de pequeños amplificadores de audio. Un ejemplo de este tipo de amplificador podemos verlo en la figura siguiente. Es un amplificador hecho solo con transistores y cuya potencia de salida es de 0,4 W.
La ganancia en continua mínima garantizada (hFE) de los BC337 / BC327 es de 100 pero puede llegar hasta 630. Si al final de la sigla vemos un número, quiere decir que la ganancia se encontrará dentro de un rango específico indicado en la figura siguiente:
Los BC337 / BC327 son bastante veloces y se los puede usar para funciones de conmutación. La frecuencia de corte mínima garantizada, es decir la frecuencia en la cual el baja su ganancia a 1 es de 100 MHz. Por lo tanto, si necesitamos una buena ganancia, no conviene usarlo en circuitos con frecuencias mayores de 1MHz.
En la figura podemos ver todas las característica descritas de estos transistores.
