Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Su construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a través de una ventana o lente.
- Alta sensibilidad fotográfica
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Alta sensibilidad radiante
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Adecuada para radiación visible e infrarroja cercana
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Tiempos de respuesta rápidos
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Terminal base conectada
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Paquete herméticamente sellado
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Alta sensibilidad a la luz
- Aplicaciones: Instrumentación y medida
Especificaciones
- Tipo: Foto transistor
- Polaridad: NPN
- Voltaje colector base VCBO: 80 V
- Voltaje colector emisor VCEO: 70 V
- Voltaje colector emisor base VEBO: 5 V
- Corriente colector IC: 50 mA
- Ángulo de sensibilidad media: φ = ± 10 °
- Temperatura de operación mínima: -40 °C
- Temperatura de operación máxima: 125°C
- Encapsulado: TO-18
- Número de pines: 3
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