2N3906 Transistor BJT PNP 40V TO-92

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2N3906 Transistor BJT PNP 40V TO-92

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¿2N3906 qué es?

El 2N3906 PNP es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “PNP”, formado por dos capas de material tipo “P”, separadas por otra de tipo “N”. El 2N3906 PNP esta protegido por un encapsulado de plastico color negro conocido como TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.

Este transistor es de propósito general y esta diseñado para aplicaciones lineales y de conmutación, es utilizado comúnmente como amplificador de media potencia.

¿2N3906 cómo funciona?

Funciona en tres regiones semiconductoras, las cuales son: corte, saturación y amplificación. Se puede aplicar una pequeña corriente en la región base, para controlar una corriente mayor que fluirá entre las regiones (emisor y colector). Este transistor es de bajo costo, practico para conectarlo a un protoboard o soldarlo a cualquier PCB y suficientemente robusto para ser usado en experimentos electrónicos. Lo puedes aplicar en tus proyectos como interruptor electrónico, amplificador de señales o como conmutador de baja potencia, como ejemplo lo puedes usar para controlar un motor, accionar un revelador y producir sonidos en una bocina.


 ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

  • Tipo de Transistor: PNP
  • Serie: 2N3906
  • Encapsulado: TO-92
  • Pines: 3
  • Altura: 18 mm
  • Longitud: 4.19 mm
  • Ancho: 3.45 mm
  • Peso de la unidad: 453.600 mg
  • VCBO Máxima Colector-Base: 40v
  • Tensión VCEO Máxima Colector-Emisor: 40v
  • Tensión VEBO Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente del Colector Ic: 200 mAdc
  • Dp – Disipación de potencia: 625 mW
  • DC ganancia de corriente: 300
  • fT Ancho de Banda: 250MHz
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 400 mV
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
  • Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55 °C

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