El sensor reflectivo CNY70 consiste en un diodo emisor de infrarrojos y un fototransistor de silicio NPN montado lado a lado en una carcasa de plástico negro. La radiación en el eje del emisor y la respuesta en el eje del detector son a la vez perpendicular a la cara del sensor. El fototransistor responde a la radiación emitida por el diodo sólo cuando un objeto o superficie reflectante está en el campo de visión del detector.
Categoría de producto: | Interruptores ópticos, reflectivos, salida de fototransistor |
Distancia de detección: | 0 mm to 5 mm |
Dispositivo de salida: | Phototransistor |
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: | 32 V |
Corriente máxima de colector: | 50 mA |
Voltaje directo: | 1.25 V |
Voltaje inverso: | 5 V |
Temperatura de trabajo máxima: | + 85 C |
Temperatura de trabajo mínima: | – 40 C |
Estilo de montaje: | Through Hole |
Serie: | CNY |
Empaquetado: | Bulk |
Marca | Vishay |
Tiempo de caída: | 50 us |
Corriente directa: | 50 mA |
Tiempo de subida: | 10 us |
Método de detección: | Reflectivo |
Longitud de onda: | 950 nm |
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