IRFZ24N Transistor MOSFET Canal N

El IRFZ24N es un transistor de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET) de potencia utilizado comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación. A continuación, proporcionaré una descripción detallada del IRFZ24N junto con una tabla de valores típicos.

Descripción del IRFZ24N:

El IRFZ24N es un MOSFET de canal N que pertenece a la familia de transistores de potencia. Está diseñado para manejar corrientes y voltajes significativos, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia.

Especificaciones Técnicas:

1. Voltaje de Drenaje-Source (Vds): 55 V
2. Corriente de Drenaje Continua (Id): 17 A
3. Corriente de Drenaje de Pulsos (Idm): 68 A
4. Potencia Disipada (Pd): 38 W
5. Voltaje de la Puerta-Source (Vgs): ±20 V
6. Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.072 ohmios (máx.)
7. Temperatura de Operación (Tj): -55 a 175 °C

Tabla de Valores Típicos:

A continuación, se presenta una tabla de valores típicos para el IRFZ24N en condiciones normales de operación. Ten en cuenta que estos valores pueden variar ligeramente según el fabricante y las condiciones específicas de la aplicación.

Notas Importantes:

1. La resistencia de encendido (Rds(on)) es un parámetro crucial que indica la resistencia del dispositivo cuando está completamente encendido. Valores más bajos son deseables para minimizar las pérdidas de potencia.
2. Las capacidades Ciss, Coss y Crss son capacitancias relacionadas con la entrada, salida y retroalimentación del dispositivo, respectivamente. Estas son importantes para el diseño de circuitos de conmutación.
3. Es fundamental operar el dispositivo dentro de su rango de temperatura especificado para garantizar un rendimiento confiable y prolongar su vida útil.