| Categoría de producto: | Interruptores ópticos, reflectivos, salida de fototransistor |
| Distancia de detección: | 1.27 mm |
| Dispositivo de salida: | Phototransistor |
| Máx. voltaje VCEO colector-emisor: | 30 V |
| Corriente máxima de colector: | 1 mA |
| Voltaje directo: | 1.7 V |
| Voltaje inverso: | 5 V |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 85 C |
| Temperatura de trabajo mínima: | – 40 C |
| Estilo de montaje: | Through Hole |
| Serie: | QRD1114 |
| Empaquetado: | Bulk |
| Marca | Fairchild Semiconductor |
| Tiempo de caída: | 50 us |
| Corriente directa: | 20 mA |
| Tiempo de subida: | 10 us |
| Método de detección: | Reflective |
| Longitud de onda: | 940 nm |
El sensor reflectivo QRD1113/14 consiste en un diodo emisor de infrarrojos y un fototransistor de silicio NPN montado lado a lado en una carcasa de plástico negro. La radiación en el eje del emisor y la respuesta en el eje del detector son a la vez perpendicular a la cara del sensor QRD1113/14. El fototransistor responde a la radiación emitida por el diodo sólo cuando un objeto o superficie reflectante está en el campo de visión del detector.
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